IGBT驱动的诞生及其结构原理

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IGBT驱动的诞生:

1984年，巴利伽等人发表了(绝缘栅晶体管》的文章，标志着IGBT驱动的诞生。IGBT是GTR和MOSFET的复合器件，结合了两者的优点。它于1986 年投人市场、当时是中小功率电力电子设备的主导器件。经过20多年的发展，ICBT的性能日臻完善.现代ICBT具有以下明显优点:在很宽的工作电流范围内具有正电阻温度系数。便于多芯片并联:开关速度快(纳秒级);反向恢复时间短，为采用新型特快动作的压敏保护器件来实现ICBT直接串联提供了技术上的可能;开关损耗远低于双极型器件，面通态损耗越来越接近双极型器件，于是总功率损耗降低;不存在晶闸管类器件在开通过程中必然存在的电流集中在初始导通区域然后再逐步向全面积扩展的“慢”过程，有更高的di/dr耐量，开通过程更加均匀;比GTO、晶闸管和某些IGCT等双极型器件有高得多的du/dr耐量。因此，现代IGBT比较适合用于在高频、大功率应用中担当功率开关管的角色，而且具有优秀的动态性能。它不仅已基本取代了GTR的一般应用，而且在很多领域向GTO提出了挑战。

IGBT驱动的结构原理:

IGBT 是三端器件，包括栅极G、集电极C和发射极E3个电极。按国际电工委员会文件。鉴于IGBT实质上是一个场效应晶体管，因此内部结构各部分名称基本沿用功率MosFET的相应名称; 为兼顾长期以来的称谓， 部分器件外端口的命名沿用双极 型晶体管的名称，即从源极引出的电极称发射极E,从漏极引出的电极称集电板C.栅极G保持原名称不变。