IGBT驱动模块具有的特点

IGBT驱动的发展是令人惊叹的，经过短短几十年的发展该产品技术已经发展的非常成熟了。对于IGBT驱动所具备的特点，每个企业都有自己的看法，祁创电子是这样认为:

ICBT驱动模块从1980年产品化开始，由于引人微处理器的微细加工技术，单胞设计从5μm的精度提高到lμm,到2000 年，芯片的电流密度提高到2倍，饱和电压降为原来的65%，功率损耗大幅度降低，从而提高了电力变换和控制装置的效率。图3-99 为IGBT模块功率损耗的变迁。IGBT模块具有以下主要特点:采用高速CSTBT芯片实现低损耗;与之前产品的尺寸相同，驱动特性相似，可以互换;采用了高速软恢复二极管;采用了低电感的封装方式;寿命长;采用氮化铝陶瓷，实现了低热阻。

IGBT驱动模块具有以下特点:

一、 芯片技术  为降低损耗采用平面栅为0.8μm的CSTBT芯片实现低的通态压降与关断损耗的协调;采用了与之前IPM相同的寿命控制技术以降低噪声。

二、控制电路技术  为降低开关损耗和EMI噪声，开发了新的控制IC芯片，测定结果表明比之前IPM降低10dB。

三、新结构封装技术

1)实现了模块小型化，以1000为例，体积减小到60%。

2)低电感布线，采用o. 4mm的绝缘纸减小极间距，使电感降低了50%。图3.00所示为主电极断面结构及电流路径。

3)主电极端子用带绝缘层的平行平板连接，抑制了电磁场的影响，减小了配线电感，提高了组装质量。控制端子的设计为组合式连接器，每个端子带两个插头并附自锁机构，连接可靠性高。